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Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits
Christopher Michael, Mohammed Ismail (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
As MOS devices are scaled to meet increasingly demanding circuit specifications, process variations have a greater effect on the reliability of circuit performance. For this reason, statistical techniques are required to design integrated circuits with maximum yield.
Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits
describes a statistical circuit simulation and optimization… environment for VLSI circuit designers. The first step toward accomplishing statistical circuit design and optimization is the development of an accurate CAD tool capable of performing statistical simulation. This tool must be based on a statistical model which comprehends the effect of device and circuit characteristics, such as device size, bias, and circuit layout, which are under the control of the circuit designer on the variability of circuit performance. The distinctive feature of the CAD tool described in this book is its ability to accurately model and simulate the effect in both intra- and inter-die process variability on analog/digital circuits, accounting for the effects of the aforementioned device and circuit characteristics.
Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits
serves as an excellent reference for those working in the field, and may be used as the text for an advanced course on the subject. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
27.09.2012
Sprache
Englisch
EAN
9781461363798
Herausgeber
Springer US
Serien- oder Bandtitel
The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Sonderedition
Nein
Autor
Christopher Michael, Mohammed Ismail
Seitenanzahl
190
Auflage
1
Einbandart
Broschiert
Hersteller: Springer Us, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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