iPhoneAlle anzeigen
iPhone 11iPhone 11 ProiPhone 11 Pro MaxiPhone 12iPhone 12 ProiPhone 12 Pro MaxiPhone 12 miniiPhone 13iPhone 13 ProiPhone 13 Pro MaxiPhone 13 miniiPhone 14iPhone 14 PlusiPhone 14 ProiPhone 14 Pro MaxiPhone 15iPhone 15 PlusiPhone 15 ProiPhone 15 Pro MaxiPhone 16iPhone 16 PlusiPhone 16 ProiPhone 16 Pro MaxiPhone 16eiPhone 8iPhone 8 PlusiPhone SE 2020iPhone SE 2022iPhone XiPhone XRiPhone XSiPhone XS Max
Galaxy A-SerieAlle anzeigen
Galaxy A12Galaxy A13Galaxy A13 5GGalaxy A14Galaxy A15Galaxy A16Galaxy A17 5GGalaxy A20eGalaxy A21Galaxy A22Galaxy A23Galaxy A24Galaxy A25Galaxy A26 5GGalaxy A32Galaxy A33Galaxy A34Galaxy A35Galaxy A36 5GGalaxy A40Galaxy A41Galaxy A42Galaxy A50Galaxy A51Galaxy A52Galaxy A53Galaxy A54Galaxy A55Galaxy A56 5GGalaxy A70Galaxy A71Galaxy A72
Redmi SeriesAlle anzeigen
Redmi 10Redmi 13CRedmi 15 5GRedmi Note 10Redmi Note 10 ProRedmi Note 11Redmi Note 11 ProRedmi Note 11 Pro Plus 5GRedmi Note 11sRedmi Note 12Redmi Note 12 5GRedmi Note 12 ProRedmi Note 12 Pro 5GRedmi Note 12 Pro PlusRedmi Note 13Redmi Note 13 5GRedmi Note 13 ProRedmi Note 13 Pro PlusRedmi Note 14Redmi Note 14 Pro PlusRedmi Note 8Redmi Note 8 ProRedmi Note 9Redmi Note 9 Pro
- Startseite
Bücher Englische Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Technik Elektronik, Elektro- und Nachrichtentechnik Controlled Growth of GaN Columns and 3D Core-Shell LEDs by MOVPE
Derzeit nicht verfügbar
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
Der Umwelt zuliebe
Controlled Growth of GaN Columns and 3D Core-Shell LEDs by MOVPE
Xue Wang (Broschiert, Englisch)
★★★★★
☆☆☆☆☆ Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
GaN three-dimensional columnar core-shell LEDs are considered to be one of the promising candidates for prospective solid state lighting. In comparison to conventional planar layer LEDs, columnar core-shell LEDs have many advantages. For instance, in a columnar GaN coreshell LED structure the InGaN/GaN MQW wraps around the column, therefore the light emitting area can be enormously increased. This… is the main driving force behind the intense investigation of nanowire and micro-columnar LEDs. In addition, because of the increased area of the MQW, the internal quantum efficiency may be improved by a reduction of the local carrier density, mitigating the efficiency droop. Besides, due to the reduced influence of thermal and lattice mismatch between the substrate and columns, dislocation-free GaN column arrays can be achieved on large area substrates.
The main contribution of the present work is the controlled growth of GaN columns and core-shell LEDs by metal-organic vapor-phase expitaxy. The growth conditions which lead to vertical growth of N-polar and Ga-polar GaN columns are systematically investigated. The causes of the vertical growth are explained by surface processes under appropriate conditions for both polarities. Quantitative discussions of growth kinetics of GaN columns are an important feature in this work. The difficulties and the strategies of the MQW and p-GaN shell growth on high aspect ratio GaN columns are presented in detail. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
11.06.2015
Sprache
Englisch
EAN
9783736990005
Herausgeber
Cuvillier Verlag
Sonderedition
Nein
Autor
Xue Wang
Seitenanzahl
186
Auflage
1
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
LED, MOVPE, 3D, Core-Shell, GaH
Thema-Inhalt
TJ - Elektronik, Nachrichtentechnik
-.-
★★★★★
☆☆☆☆☆ Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Sicher bei rebuy kaufen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!
Sicher bei rebuy kaufen