Bis zu 50 % günstiger als neu 3 Jahre rebuy Garantie Professionelles Refurbishment
ElektronikMedien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
Honor SerieY-Serie
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 Generation
SamsungAlle anzeigen
Galaxy XcoverWeitere Modelle
SonyAlle anzeigen
Weitere Modelle
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
Google
AppleAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
MicrosoftAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
ObjektiveAlle anzeigen
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
Fitness TrackerAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
Xiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
KopfhörerAlle anzeigen
FairphoneGoogle
LautsprecherAlle anzeigen
Beats by Dr. DreGoogleYamahatonies
iPodAlle anzeigen

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Galvanische Aluminiumabscheidung für das Waferlevel Thermokompressionsbonden mit dicken Aluminiumschichten

Silvia Braun (Broschiert, Deutsch)

Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
Die Arbeit beschreibt die Entwicklung eines Prozesses zur galvanischen Aluminiumabscheidung aus ionischen Flüssigkeiten auf Waferlevel. Die erzeugten Schichten werden für das Thermokompressionsbonden (TKB) für mikroelektronische und mikrosystemtechnische Anwendungen verwendet. Im Gegensatz zu herkömmlichen Gasphasenprozessen ermöglicht die galvanische Abscheidung deutlich dickere Schichten mit erhöhter Rauheit, die den Aufbruch der natürlichen Aluminiumoxidschicht, welche als Diffusionsbarriere zwischen den Fügepartnern fungiert, fördern und somit eine stoffschlüssige Verbindung beim TKB begünstigen sollen. Ziel war die Entwicklung eines homogenen Abscheideprozesses bei gleichzeitiger Skalierung auf 150-mm Wafer. Durch Einführung eines potentialkontrollierten anodischen Rückpulses konnte die natürliche Al-Oxidschicht vor der Abscheidung entfernt und damit eine zuverlässige Haftung der galvanischen Schichten erzielt werden. Die abgeschiedenen Schichten wurden mikrostrukturell charakterisiert und erfolgreich im TKB eingesetzt. Das Fügen zweier galvanischer Schichten lieferte stoffschlüssige Verbindungen, da die Rauheitspeaks die Al-Oxidschicht aufbrechen und somit eine Diffusion über die Fügenaht hinweg ermöglicht wird. Insgesamt zeigt die Studie, dass galvanisch abgeschiedene Al-Schichten eine Alternative für das TKB darstellen und das Potenzial besitzen, die Prozessresilienz in der Mikroelektronik wesentlich zu erhöhen.
Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
ab 16,29 €
Derzeit nicht verfügbar
Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Technische Daten


Erscheinungsdatum
31.12.2025
Sprache
Deutsch
EAN
9783961002856
Herausgeber
Universitätsverlag Chemnitz
Sonderedition
Nein
Autor
Silvia Braun
Seitenanzahl
232
Einbandart
Broschiert
Einbandart Details
A5
Schlagwörter
Galvanische Abscheidung, Wafer-Integration, Ionische Flüssigkeit, Thermokompressionsschweißen
Thema-Inhalt
TH - Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm

Hersteller: Universitätsverlag Chemnitz, Straße der Nationen 33, Chemnitz, Deutschland, 09111, uni-verlag@bibliothek.tu-chemnitze.de

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

Informationen nach EU Data Act

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!