iPhoneAlle anzeigen
iPhone 11iPhone 11 ProiPhone 11 Pro MaxiPhone 12iPhone 12 ProiPhone 12 Pro MaxiPhone 12 miniiPhone 13iPhone 13 ProiPhone 13 Pro MaxiPhone 13 miniiPhone 14iPhone 14 PlusiPhone 14 ProiPhone 14 Pro MaxiPhone 15iPhone 15 PlusiPhone 15 ProiPhone 15 Pro MaxiPhone 16iPhone 16 PlusiPhone 16 ProiPhone 16 Pro MaxiPhone 16eiPhone 8iPhone 8 PlusiPhone SE 2020iPhone SE 2022iPhone XiPhone XRiPhone XSiPhone XS Max
Galaxy A-SerieAlle anzeigen
Galaxy A12Galaxy A13Galaxy A13 5GGalaxy A14Galaxy A15Galaxy A16Galaxy A17Galaxy A17 5GGalaxy A20eGalaxy A21Galaxy A22Galaxy A23Galaxy A24Galaxy A25Galaxy A26 5GGalaxy A27 5GGalaxy A32Galaxy A33Galaxy A34Galaxy A35Galaxy A36 5GGalaxy A37Galaxy A40Galaxy A41Galaxy A42Galaxy A50Galaxy A51Galaxy A52Galaxy A53Galaxy A54Galaxy A55Galaxy A56 5GGalaxy A57 5GGalaxy A70Galaxy A71Galaxy A72
Redmi SeriesAlle anzeigen
Redmi 10Redmi 13CRedmi 15 5GRedmi Note 10Redmi Note 10 ProRedmi Note 11Redmi Note 11 ProRedmi Note 11 Pro Plus 5GRedmi Note 11sRedmi Note 12Redmi Note 12 5GRedmi Note 12 ProRedmi Note 12 Pro 5GRedmi Note 12 Pro PlusRedmi Note 13Redmi Note 13 5GRedmi Note 13 ProRedmi Note 13 Pro PlusRedmi Note 14Redmi Note 14 Pro PlusRedmi Note 15Redmi Note 15 5GRedmi Note 15 ProRedmi Note 15 Pro 5GRedmi Note 15 Pro Plus 5GRedmi Note 8 ProRedmi Note 9
- Startseite
Bücher Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von GaN und InN.
Derzeit nicht verfügbar
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Optischer Zustand
Beschreibung
Diese Arbeit behandelt das Wachstum von GaN und InN mittels metallorganischer Molekularstrahlepitaxie (MOMBE). Die MOMBE-Technik und die verwendete Ultrahochvakuum-Anlage werden ausführlich beschrieben. Den ersten Schritt der Prozessoptimierung bildete das Wachstum von GaN und die Messung der Abhängigkeit der Wachstumsrate von Prozessparametern wie Materialfluss und Wachstumstemperatur. Daraus… konnten, unterstützt durch Simulationen des Wachstumsprozesses, Anhaltspunkte für die optimalen Wachstumsparameter für GaN sowie für InN gewonnen werden. Die wichtigsten elektrischen, strukturellen, morphologischen und optischen Eigenschaften der auf der Grundlage dieser Ergebnisse gewachsenen einkristallinen InN-Proben werden vorgestellt. Sie gehören hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften zu den besten, die aus der Literatur bekannt sind. Zu den wichtigsten Resultaten gehört die Entdeckung, dass die Bandlücke von hochwertigem InN bei etwa 0,65 eV und damit deutlich unter früheren Werten aus der Literatur liegt. Dieses Ergebnis eröffnet neue Anwendungsfelder für InN und bildet zugleich die Grundlage für einen korrekten Entwurf von Bauelementen aus diesem Material. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Technische Daten
Erscheinungsdatum
13.07.2005
Sprache
Deutsch
EAN
9783816767879, 9783816767879
Herausgeber
Fraunhofer IRB Verlag
Sonderedition
Nein
Autor
Jochen Aderhold
Seitenanzahl
157
Einbandart
Taschenbuch
Schlagwörter
Fraunhofer WKI, Halbleiter, Kristallwachstum, Molekularstrahlepitaxie, Bandlücke, Halbleiter, Kristallwachstum, Molekularstrahlepitaxie, Indiumnitrid, Bandlücke
Thema-Inhalt
T - Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft
Höhe
297 mm
Breite
21 cm
Auf gebrauchten Artikeln oder Originalverpackungen sichtbare Umwelt-, Nachhaltigkeits- oder Zertifizierungsangaben stammen aus der ursprünglichen Herstellerkennzeichnung. Sie stellen keine eigene aktuelle Umwelt- oder Nachhaltigkeitsaussage von rebuy dar. Maßgeblich für das Angebot sind ausschließlich die von rebuy in der Artikelbeschreibung angegebenen Produkteigenschaften.
-.-
★★★★★
☆☆☆☆☆ Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Sicher bei rebuy kaufen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!
Sicher bei rebuy kaufen