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Point and Extended Defects in Semiconductors
(Gebundene Ausgabe, Englisch)
Optischer Zustand
Beschreibung
The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. FrQm that time on many questions about the defect structure and properties have been an swered, but many others are still a matter of investigation and discussion. Moreover, during these years new problems arose in connection with the identification and char acterization of defects, their role in determining transport Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
01.10.1989
Sprache
Englisch
EAN
9780306433368, 9780306433368
Herausgeber
Springer US
Serien- oder Bandtitel
NATO Science Series: B
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
287
Auflage
1989
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Bandzählung
202
Schlagwörter
transmission electron microscopy, electron microscopy, physics, integrated circuit, material, tunneling, optical properties, Semiconductor, spectroscopy, superlattice, quantum wells, defects
Thema-Inhalt
PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie
PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie
PDN - Wissenschaftliche Ausstattung, Experimente und Techniken
Inhaltsverzeichnis
I Basic Properties of Defects and Their Interactions.- Structure and Properties of Point Defects in Semiconductors.- Conductivity of Grain Boundaries and Dislocations in Semiconductors.- Point Defects in GaAs.- Changes of Electrical Properties of Silicon Caused by Plastic Deformation.- Internal Friction due to Defects in Semiconductors.- Interactions of Impurities with Dislocations in Semiconductors.- Gettering Mechanism in Silicon.- Effects of Impurity Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon.- The Extended Nature of Point-Like Defects in Silicon.- II Defect Imaging and Spectroscopy.- Structural and Chemical Characterization of Semiconductor Interfaces by High-Resolution Transmission Electron Microscopy.- Interactions between Point-Defects, Dislocations and a Grain Boundary: A HREM Study.- The Influence of Residual Contamination on the Structure and Properties of Metal/GaAs Interfaces.- High-Resolution Electron Microscopy of Twin-Free (111) CdTe Layers on Vicinal (001) GaAs Surfaces.- STM and Related Techniques.- Tunneling Spectroscopy and III-V Semiconductors.- SEM Studies of Individual Defects in Semiconductors.- Quantitative Characterization of Semiconductor Defects by Electron Beam Induced Currents.- Recombination at Dislocations in Silicon and Gallium Arsenide.- Imaging of Extended Defects by Quenched Infra-red Beam Induced Currents (Q-IRBIC).- Contributors.- Participants.- Acronyms.
Höhe
0 mm
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