The main image shows a contacted core-shell GaAs-AlGaAs nanowire with three individual top gates (upper fingers) in between the contacts (lower and outmost fingers) to probe the electrical properties of the nanowire spatially. A resulting transfer curve (gate voltage versus source-drain current) is plotted in the upper left image. At room temperature a sharp switching behavior is observed together… Mehr zeigen with a high I(on)/I(off)-ratio. The lower right image presents a high resolution transmission electron micrograph of an InAs nanowire indicating a mixed wurtzite/zincblende stacking. Weniger zeigen

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Produktinformationen

Technische Daten

Erscheinungsdatum

01.09.2015

Sprache

Englisch

EAN

9783941650916

Herausgeber

Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München

Sonderedition

Nein

Autor

Stefanie Morkötter

Seitenanzahl

155

Einbandart

Taschenbuch

Schlagwörter

transport measurements, field effect transistors, semiconductor nanowires

Thema-Inhalt

P - Mathematik und Naturwissenschaften

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