iPhoneAlle anzeigen
iPhone 11iPhone 11 ProiPhone 11 Pro MaxiPhone 12iPhone 12 ProiPhone 12 Pro MaxiPhone 12 miniiPhone 13iPhone 13 ProiPhone 13 Pro MaxiPhone 13 miniiPhone 14iPhone 14 PlusiPhone 14 ProiPhone 14 Pro MaxiPhone 15iPhone 15 PlusiPhone 15 ProiPhone 15 Pro MaxiPhone 16iPhone 16 PlusiPhone 16 ProiPhone 16 Pro MaxiPhone 16eiPhone 8iPhone 8 PlusiPhone SE 2020iPhone SE 2022iPhone XiPhone XRiPhone XSiPhone XS Max
Galaxy A-SerieAlle anzeigen
Galaxy A12Galaxy A13Galaxy A13 5GGalaxy A14Galaxy A15Galaxy A16Galaxy A17Galaxy A17 5GGalaxy A20eGalaxy A21Galaxy A22Galaxy A23Galaxy A24Galaxy A25Galaxy A26 5GGalaxy A27 5GGalaxy A32Galaxy A33Galaxy A34Galaxy A35Galaxy A36 5GGalaxy A37Galaxy A40Galaxy A41Galaxy A42Galaxy A50Galaxy A51Galaxy A52Galaxy A53Galaxy A54Galaxy A55Galaxy A56 5GGalaxy A57 5GGalaxy A70Galaxy A71Galaxy A72
Redmi SeriesAlle anzeigen
Redmi 10Redmi 13CRedmi 15 5GRedmi Note 10Redmi Note 10 ProRedmi Note 11Redmi Note 11 ProRedmi Note 11 Pro Plus 5GRedmi Note 11sRedmi Note 12Redmi Note 12 5GRedmi Note 12 ProRedmi Note 12 Pro 5GRedmi Note 12 Pro PlusRedmi Note 13Redmi Note 13 5GRedmi Note 13 ProRedmi Note 13 Pro PlusRedmi Note 14Redmi Note 14 Pro PlusRedmi Note 15Redmi Note 15 5GRedmi Note 15 ProRedmi Note 15 Pro 5GRedmi Note 15 Pro Plus 5GRedmi Note 8 ProRedmi Note 9
- Startseite
Bücher Englische Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Physik & Astronomie Structural and Electrical Characterization of III-V Semiconductor Nanowires
Derzeit nicht verfügbar
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Structural and Electrical Characterization of III-V Semiconductor Nanowires
Stefanie Morkötter (Taschenbuch, Englisch)
Optischer Zustand
Beschreibung
The main image shows a contacted core-shell GaAs-AlGaAs nanowire with three individual top gates (upper fingers) in between the contacts (lower and outmost fingers) to probe the electrical properties of the nanowire spatially. A resulting transfer curve (gate voltage versus source-drain current) is plotted in the upper left image. At room temperature a sharp switching behavior is observed together… with a high I(on)/I(off)-ratio. The lower right image presents a high resolution transmission electron micrograph of an InAs nanowire indicating a mixed wurtzite/zincblende stacking. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
Sonderinformationen:
Bitte beachte: Auflage, Verlag und Cover weichen ggf. von der Abbildung ab
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Technische Daten
Erscheinungsdatum
01.09.2015
Sprache
Englisch
EAN
9783941650916
Herausgeber
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
Sonderedition
Nein
Autor
Stefanie Morkötter
Seitenanzahl
155
Einbandart
Taschenbuch
Schlagwörter
transport measurements, field effect transistors, semiconductor nanowires
Thema-Inhalt
P - Mathematik und Naturwissenschaften
Auf gebrauchten Artikeln oder Originalverpackungen sichtbare Umwelt-, Nachhaltigkeits- oder Zertifizierungsangaben stammen aus der ursprünglichen Herstellerkennzeichnung. Sie stellen keine eigene aktuelle Umwelt- oder Nachhaltigkeitsaussage von rebuy dar. Maßgeblich für das Angebot sind ausschließlich die von rebuy in der Artikelbeschreibung angegebenen Produkteigenschaften.
-.-
★★★★★
☆☆☆☆☆ Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Sicher bei rebuy kaufen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!
Sicher bei rebuy kaufen