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Dielectric Breakdown in Gigascale Electronics

Juan Pablo Borja, Toh-Ming Lu, Joel Plawsky (Taschenbuch, Englisch)

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Beschreibung
This book focuses on the experimental and theoretical aspects of the time-dependent breakdown of advanced dielectric films used in gigascale electronics. Coverage includes the most important failure mechanisms for thin low-k films, new and established experimental techniques, recent advances in the area of dielectric failure, and advanced simulations/models to resolve and predict dielectric breakdown, all of which are of considerable importance for engineers and scientists working on developing and integrating present and future chip architectures. The book is specifically designed to aid scientists in assessing the reliability and robustness of electronic systems employing low-k dielectric materials such as nano-porous films. Similarly, the models presented here will help to improve current methodologies for estimating the failure of gigascale electronics at device operating conditions from accelerated lab test conditions. Numerous graphs, tables, and illustrations are included to facilitate understanding of the topics. Readers will be able to understand dielectric breakdown in thin films along with the main failure modes and characterization techniques. In addition, they will gain expertise on conventional as well as new field acceleration test models for predicting long term dielectric degradation.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
26.09.2016
Sprache
Englisch
EAN
9783319432182
Herausgeber
Springer International Publishing
Serien- oder Bandtitel
SpringerBriefs in Materials
Sonderedition
Nein
Autor
Juan Pablo Borja, Toh-Ming Lu, Joel Plawsky
Seitenanzahl
105
Einbandart
Taschenbuch
Buch Untertitel
Time Dependent Failure Mechanisms
Schlagwörter
Chip Interconnects, Dielectric Breakdown, Interconnect Reliability Science, Low-k Interconnect, Metal Catalyzed Dielectric Failure, Nanoporous Dielectrics, Reliability of Gigascale Electronics, Reliability of Modern Porous Low-k Films, TDDB for Gigascale Electronic Devices, TDDB in Modern Interconnects, Time-dependent-dielectric-breakdown (TDDB)
Thema-Inhalt
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien TJF - Elektronik TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) TBN - Nanotechnologie
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com

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