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Hydrogen in Crystalline Semiconductors

Stephen J. Pearton (Gebundene Ausgabe, Deutsch)

Optischer Zustand
Beschreibung
This monograph is the first to provide a comprehensive, in-depth treatment of the properties of hydrogen as an impurity, beginning at an introductory level. It describes the states and binding sites that hydrogen assumes in the lattice, the passivation of shallow and deep impurities, the properties of hydrogen-related defects in semiconductors, the diffusivity of the various forms of hydrogen, and…  the effects of hydrogen on the mechanical properties of semiconductors. Emphasis is placed on the ways in which hydrogen is incorporated during crystal growth and device fabrication, an area of tremendous practical importance. TOC: 0 e
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
16.03.1992
Sprache
Deutsch
EAN
9783540539230
Herausgeber
Springer Berlin
Serien- oder Bandtitel
Springer Series in Materials Science
Sonderedition
Nein
Autor
Stephen J. Pearton
Seitenanzahl
363
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Bandzählung
16
Schlagwörter
spectroscopy, vibrational spectroscopy, passivation, hydrogen, deep levels
Thema-Inhalt
PHF - Materialwissenschaft / Aggregatzustände PNR - Physikalische Chemie TJF - Elektronik
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

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