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Der Umwelt zuliebe
Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets
María Ángela Pampillón Arce (Gebundene Ausgabe, Englisch)
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Beschreibung
This thesis describes the fabrication of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures using very high permittivity dielectrics (based on rare earths) grown by high-pressure sputtering from metallic targets. It demonstrates the possibility of depositing high permittivity materials (GdScO3) by means of high pressure sputtering from metallic targets using in situ plasma oxidation on Si and indium… phosphate (InP) substrates. The advantage of this system is the high working pressure, which causes the particles to undergo multiple collisions and become thermalized before reaching the substrate in a pure diffusion process, thus protecting the semiconductor surface from damage. This work presents a unique fabrication using metallic targets and involving a two-step deposition process: a thin metallic film is sputtered in an Ar atmosphere and this film is then plasma oxidized in situ. It also demonstrates the fabrication of GdScO3 on Si with a permittivity value above 30 from metallicGd and Sc targets. Since co-sputtering was not possible, a nanolaminate of these materials was deposited and annealed. The electrical properties of these devices show that the material is highly interesting from a microelectronic integration standpoint. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
13.10.2017
Sprache
Englisch
EAN
9783319666068
Herausgeber
Springer International Publishing
Serien- oder Bandtitel
Springer Theses
Sonderedition
Nein
Autor
María Ángela Pampillón Arce
Seitenanzahl
164
Auflage
1
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
High Permittivity Dielectrics, MOSFET, MIS Devices, High Pressure Sputtering, Plasma Oxidation, InP Substrates, Scavenging Effect, Gadolinium Oxide, Scandium Oxide, Gadolinium Scandate
Thema-Inhalt
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
TBN - Nanotechnologie
TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile)
TJF - Elektronik
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
Transparenz & Sicherheit
Hersteller: Palgrave Macmillan, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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