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Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
(Gebundene Ausgabe, Englisch)
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Beschreibung
Volume is indexed by Thomson Reuters CPCI-S (WoS).
This two-volume set documents the present understanding of many topics of interest, such as the growth of bulk crystals, the growth of epitaxial layers, theoretical modelling, the characterization of as-grown material, the development of suitable processes and of electronic devices which can operate under extreme conditions and exhibit… outstanding properties. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
22.12.1997
Sprache
Englisch
EAN
9780878497904
Herausgeber
Trans Tech
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
1606
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
Annealing, Atomic Force Microscope (AFM), Chemical Vapor Deposition (CVD), Defect, Dislocation, Epitaxy, Gallium Nitride (GaN), Interface States (or Traps), Ion Implantation, MBE, MESFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), Micropipe
Thema-Inhalt
TGM - Materialwissenschaft
Höhe
240 mm
Breite
17 cm
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