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Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys

Mascarenhas, Angelo, Loue, Sana E (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
This book presents a comprehensive account of the phenomenon of spontaneous ordering. The phenomenon, which can be categorized as a self-organized process, is observed to occur spontaneously during epitaxial growth of certain ternary alloy semiconductors and results in a modification of their structural, electronic, and optical properties. There has been a great deal of interest in learning how to control this phenomenon so that it may be used for tailoring desirable electronic and optical properties. There has been even greater interest in exploiting the phenomenon for its unique ability to provide an experimental environment of controlled alloy statistical fluctuations. As such, it impacts areas of semiconductor science and technology related to the materials science of epitaxial growth, statistical mechanics, and electronic structure of alloys and electronic and photonic devices. During the past two decades, significant progress has been made toward understanding the mechanisms that drive this phenomenon and the changes in physical properties that result from it. A variety of experimental techniques have been used to probe the phenomenon and several attempts made at providing theoretical models, both for the ordering mechanisms as well as electronic structure changes. The various chapters of this book provide a detailed account of these efforts during the past decade.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
30.04.2002
Sprache
Englisch
EAN
9780306467783
Herausgeber
Springer US
Sonderedition
Nein
Autor
Mascarenhas, Angelo, Loue, Sana E
Seitenanzahl
474
Auflage
1
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Einbandart Details
Fadenbindung
Inhaltsverzeichnis
1. Basic Aspects of Atomic Ordering in III-V Semiconductor Alloys; T. Suzuki. 2. The Nature and Origin of Atomic Ordering in Group III-V Antimonide Semiconductors Alloys; A.G. Norman. 3. Effects of the Surface on CuPt Ordering During OMVPE Growth; G.B. Stringfello. 4. X-Ray Diffraction Analysis of Ordering in Epitaxial III-B Alloys; R.L. Forrest. 5. Surface Morphology and Formation of Antiphase Boudaries in Ordered (GaIn)P-A TEM Study; T. Sass, I. Pietzonka. 6. X-Ray characterization of CuPt Ordered III-V Ternary Alloys; J. Li. 7. Diffraction and Imaging of Ordered Semiconductors; S.P. Ahrenkiel. 8. X-Ray Analysis of the Short-Range Order in the Ordered-Alloy Domains of Epitaxial (Ga,In)P Layers by DAFS of Superlattice Reflections; D.C. Meyer, K. Richter, G. Wagner, P. Paufler. 9. Ballistic Electron Emission Microscopy and Spectroscopy Study of Ordering-Induced Band Structure Effects in Ga0.52IN0.48P; M. Kozhevnikov, V. Narayanamurti. 10. The Physics of Tunable Disorder in Semiconductor Alloys; A. Mascarenhas, Y. Zhang. 11. Spectroscopic Study of the Interface and Band Alignment at the GaInP(Partially Ordered)/GaAs Heterojunction under High Pressure and High Magnetic Field; P.Y. Yu, G. Martinez, J. Zeman, K. Uchida. 12. Polarization Effects in the (Electro)absorption of Ordered GaInP and their Device Applications; P. Kiesel, T. Kippenberg, G.H. Döhler.
Höhe
2600 mm
Breite
183 cm
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