Bis zu 50 % günstiger als neu 3 Jahre rebuy Garantie Professionelles Refurbishment

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Martin Schuster (Taschenbuch, Deutsch)

Keine Bewertungen vorhanden

Optischer Zustand

Beschreibung

Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid hat das Potential, den Energiebedarf weltweit zu verringern. Die derzeit kostengünstigste GaN-Technologie basiert auf der GaN-auf-Silizium-Waferstruktur, also der GaN-Epitaxie auf Si-Wafern. Die Verbesserung und Weiterentwicklung dieser gesamten Technologie wird ein maßgeblicher Faktor für die Markteinführung und Verbreitung von Produkten GaN-basierter Leistungselektronik sein. Dies umfasst einerseits die Entwicklung von kostengünstigen und effizienten Produktionsprozessen der GaN-auf-Si Epi-Wafer und andererseits die Verwendung von Si-CMOS Fertigungslinien in Bezug auf einen kompatiblen und kontaminationsfreien Prozessfluss der HEMT-Bauelementetechnologie, sowie einer effizienten Prozessfluss- und Bauelementecharakterisierung. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Design und der Entwicklung einer geeigneten Bauelementetechnologie für den Einsatz einer elektrischen On-Wafer-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenen 150 mm GaN-auf-Si-Wafern. Die GaN-auf-Si-Schichtsysteme dienen als Startmaterial für die Herstellung von lateralen Leistungs-HEMT-Bauelementen. Der Fokus liegt nicht auf einem ausentwickelten Bauelement mit komplexer Prozessabfolge, sondern auf einer möglichst einfachen und robusten Teststruktur, die gezielt die wichtigsten Eigenschaften der Epi-Wafer erfasst. Diese Informationen können anhand von Waferkarten dargestellt werden und liefern somit Informationen über die Wafer-Homogenität. Der Vorteil des Einsatzes von geeigneten Teststrukturen liegt somit in der zeitnahen Antwort auf ein Wachstumsexperiment, der elektrischen Charakterisierung über den gesamten Wafer und der Möglichkeit einer Kontrolle von Epi-Produkten, auch bezüglich der Wechselwirkung mit kritischen Prozessschritten der Bauelementfertigung. Beginnend mit der Darstellung der gängigsten GaN-Transistortypen wird die Funktionsweise des lateralen GaN-HEMTs erklärt und die wichtigsten Kenngrößen erläutert. Anhand der Beschreibung der Probenstruktur und des Testchipdesigns wird die Basistechnologie sowie wichtige technologische Prozessschritte vorgestellt. Es folgt eine Zusammenstellung der wichtigsten elektrischen Charakterisierungsmethoden, welche im Zusammenhang mit dem entworfenen Testchip und der entwickelten Basis-Bauelementetechnologie durchgeführt werden können. In Abhängigkeit der verwendeten Technologie und anhand spezieller Teststrukturen werden beispielhafte Messergebnisse dargestellt. Weniger zeigen

Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.

ab 24,99 €

Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Produktinformationen

Technische Daten

Erscheinungsdatum

16.03.2018

Sprache

Deutsch

EAN

9783746097817

Herausgeber

BoD – Books on Demand

Sonderedition

Nein

Autor

Martin Schuster

Seitenanzahl

176

Auflage

Einbandart

Taschenbuch

Autorenporträt

Martin Schuster: Martin Schuster studierte an der Technischen Universität Dresden im Studiengang Elektrotechnik und schloss sein Studium mit dem Titel des Diplomingenieurs (Dipl.-Ing.)/Master of Science in Electrical Engineering (M.Sc.E.E.) ab. Martin Schuster beschäftigte sich in seiner Promotion mit dem Design und der Entwicklung einer geeigneten Bauelementetechnologie für den Einsatz einer elektrischen On-Wafer-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenen 150mm GaN-auf-Si-Wafern. Im Rahmen dieser Aktivitäten ist er Autor und Co-Autor von mehreren begutachteten Artikeln. Die Veröffentlichung der Arbeit stellt den Abschluss seiner Promotion an der Technischen Universität Dresden im Promotionsstudiengang Elektrotechnik dar.

Schlagwörter

HEMT-Design, GaN-HEMT-Technologie, AlGaN/GaN-Heterostruktur, GaN-auf-Si, Leistungselektronik

Thema-Inhalt

TB - Technologie, allgemein

Höhe

210 mm

Breite

14.8 cm

Hersteller: Books on Demand GmbH, Überseering 33, Hamburg, Deutschland, 22297, bod@bod.de

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

Informationen nach EU Data Act

Bewertungen

-.-

Leider noch keine Bewertungen

Sicher bei rebuy kaufen

Sehr Gut, 4.52/5.00

Aus 200.000+ Bewertungen

Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!

Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!