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Formation of KNbO3 Thin Films for Self-Powered ReRAM Devices and Artificial Synapses

Tae-Ho Lee (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
This thesis describes an investigation into homogeneous KN crystalline films grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, amorphous KN films grown on TiN/Si substrates using the RF-sputtering method, and the ferroelectic and piezoelectric properties of these KN films. KNbO3 (KN) thin films have been extensively investigated for applications in nonlinear optical, electro-optical and piezoelectric devices. However, the electrical properties of KN films have not yet been reported, because it is difficult to grow stoichiometric KN thin films due to K2O evaporation during growth. This thesis also reports on the ReRAM properties of a biocompatible KN ReRAM memristor powered by the KN nanogenerator, and finally shows the biological synaptic properties of the KN memristor for application to the artificial synapse of a neuromorphic computing system.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
06.10.2018
Sprache
Englisch
EAN
9789811325342
Herausgeber
Springer Singapore
Serien- oder Bandtitel
Springer Theses
Sonderedition
Nein
Autor
Tae-Ho Lee
Seitenanzahl
98
Auflage
1st edition 2018
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
KNbO3 (KN) thin film, stoichiometric KN thin film, homogeneous KN crystalline film, ferroelectric and piezoelectric properties, piezoelectric nanogenerating, ReRAM properties, KN memristor, neuromorphic computing system, biocompatible KN ReRAM memristor
Thema-Inhalt
TGM - Materialwissenschaft PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik) TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile)
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

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