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Untersuchung zeitabhängiger Einfangs- und Rekombinationsprozesse in nitridischen Halbleitern

Matthias Lamprecht (Taschenbuch, Deutsch)

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Beschreibung
In dieser Arbeit wurden tiefe Defekte in Aluminiumnitrid und Galliumnitrid mittels stationärer und zeitaufgelöster Spektroskopieverfahren untersucht. Aufgrund dieser Messungen konnte zum ersten Mal die Beteiligung von DX-Zentren in optischen Übergängen in Nitriden nachgewiesen werden. Zudem wurde ein neues Messverfahren, die pulslängenabhängige Photolumineszenzspektroskopie, entwickelt und angewendet. Dieses Verfahren ermöglicht die Bestimmung des relativen Einfangquerschnitts von Donatoren, Akzeptoren und tiefen Zentren.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
16.01.2019
Sprache
Deutsch
EAN
9783843939010
Herausgeber
Dr. Hut
Serien- oder Bandtitel
Physik
Sonderedition
Nein
Autor
Matthias Lamprecht
Seitenanzahl
291
Einbandart
Taschenbuch
Schlagwörter
Photolumineszenz, DX-Zentren, Pulslängenabhängige Photolumineszenzspektroskopie
Thema-Inhalt
P - Mathematik und Naturwissenschaften PH - Physik
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

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