Bis zu 50 % günstiger als neu 3 Jahre rebuy Garantie Professionelles Refurbishment
ElektronikMedien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
Honor SerieY-Serie
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 Generation
SamsungAlle anzeigen
Galaxy XcoverWeitere Modelle
SonyAlle anzeigen
Weitere Modelle
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
Google
AppleAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
MicrosoftAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
ObjektiveAlle anzeigen
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
Fitness TrackerAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
Xiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
KopfhörerAlle anzeigen
FairphoneGoogle
LautsprecherAlle anzeigen
Beats by Dr. DreGoogleYamahatonies
iPodAlle anzeigen

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Untersuchungen zum Einsatz von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren in Gleichspannungswandlern für Hochleistungsbordnetze

Andreas März (Taschenbuch, Deutsch)

Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
Die wachsende Marktreife von SiC MOSFETs ermöglicht den kommerziellen Einsatz in galvanisch getrennten HilfsbDie wachsende Marktreife von SiC MOSFETs ermöglicht den kommerziellen Einsatz in galvanisch getrennten Hilfsbetriebeumrichtern zur Versorgung von Schienenfahrzeugbordnetzen. Diese neuartige Transistor-technologie hat das Potential die Leistungsdichte und die Schaltfrequenz deutlich zu steigern, wodurch das Bauvolumen und das Gewicht passiver Bauelemente reduziert wird. Weiterhin führt ihr Einsatz zu einer Zunahme des Wirkungsgrades und damit verringerten Kühlanforderungen. Die gesteigerte Effizienz eines solchen Wandlers macht sich insbesondere im Teillastbetrieb positiv bemerkbar. In der vorliegenden Dissertation werden das Verhalten von SiC MOSFETs unter hartem und weichem Schalten wie auch im Fehlerfall eines Kurzschlusses detailliert untersucht und grundlegende Unterschiede zum IGBT erörtert. Weiterhin werden verschiedene Ansteuerverfahren betrachtet, mit deren Hilfe das Schaltverhalten weiter optimiert und Schaltverluste deutlich reduziert werden können. Durch die umfassende Analyse der SiC MOSFET Technologie wird zunächst ein grundlegendes Verständnis für die prinzipielle Funktionsweise des Bauelementes, dessen Leistungsfähigkeit und dessen Potential für den Einsatz in Hilfsbetriebeumrichtern vermittelt.
Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
ab 41,99 €
Derzeit nicht verfügbar
Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Technische Daten


Erscheinungsdatum
25.06.2019
Sprache
Deutsch
EAN
9783843940719
Herausgeber
Dr. Hut
Serien- oder Bandtitel
Elektrotechnik
Sonderedition
Nein
Autor
Andreas März
Seitenanzahl
240
Einbandart
Taschenbuch
Schlagwörter
SiC MOSFET, IGBT, Hardswitching, Softswitching, Kurzschlussfestigkeit
Thema-Inhalt
THR - Elektrotechnik
Höhe
240 mm
Breite
17 cm

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

Informationen nach EU Data Act

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!