iPhoneAlle anzeigen
iPhone 11iPhone 11 ProiPhone 11 Pro MaxiPhone 12iPhone 12 ProiPhone 12 Pro MaxiPhone 12 miniiPhone 13iPhone 13 ProiPhone 13 Pro MaxiPhone 13 miniiPhone 14iPhone 14 PlusiPhone 14 ProiPhone 14 Pro MaxiPhone 15iPhone 15 PlusiPhone 15 ProiPhone 15 Pro MaxiPhone 16iPhone 16 PlusiPhone 16 ProiPhone 16 Pro MaxiPhone 16eiPhone 8iPhone 8 PlusiPhone SE 2020iPhone SE 2022iPhone XiPhone XRiPhone XSiPhone XS Max
Galaxy A-SerieAlle anzeigen
Galaxy A12Galaxy A13Galaxy A13 5GGalaxy A14Galaxy A15Galaxy A16Galaxy A17 5GGalaxy A20eGalaxy A21Galaxy A22Galaxy A23Galaxy A24Galaxy A25Galaxy A26 5GGalaxy A32Galaxy A33Galaxy A34Galaxy A35Galaxy A36 5GGalaxy A40Galaxy A41Galaxy A42Galaxy A50Galaxy A51Galaxy A52Galaxy A53Galaxy A54Galaxy A55Galaxy A56 5GGalaxy A70Galaxy A71Galaxy A72
Redmi SeriesAlle anzeigen
Redmi 10Redmi 13CRedmi 15 5GRedmi Note 10Redmi Note 10 ProRedmi Note 11Redmi Note 11 ProRedmi Note 11 Pro Plus 5GRedmi Note 11sRedmi Note 12Redmi Note 12 5GRedmi Note 12 ProRedmi Note 12 Pro 5GRedmi Note 12 Pro PlusRedmi Note 13Redmi Note 13 5GRedmi Note 13 ProRedmi Note 13 Pro PlusRedmi Note 14Redmi Note 14 Pro PlusRedmi Note 8Redmi Note 8 ProRedmi Note 9Redmi Note 9 Pro
- Startseite
Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Technik Elektronik, Elektro- und Nachrichtentechnik Hochausnutzung von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren in Traktionsumrichtern
Derzeit nicht verfügbar
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
Der Umwelt zuliebe
Hochausnutzung von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren in Traktionsumrichtern
Patrick Hofstetter (Taschenbuch, Deutsch)
★★★★★
☆☆☆☆☆ Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
Mit zunehmendem technologischen Fortschritt und der Verfügbarkeit in höheren Spannungsklassen werden SiC-MOSFETs immer attraktiver für Traktionsapplikationen. Ein Austausch der bisher im Traktionsumrichter vorwiegend eingesetzten Si-IGBTs verspricht, die Effizienz zu erhöhen, Bauraum zu sparen und das Gewicht zu reduzieren. Ungeklärt ist, wie hierbei das Potenzial der SiC-Halbleiterbauelemente… höchstmöglich ausgenutzt und ein sicherer Betrieb gewährleistet werden kann.
Aufbauend auf den halbleiterphysikalischen Grundlagen werden in dieser Dissertation die fundamentalen Fragen zur optimalen Ansteuerung, Schutz und Robustheit der neuen Halbleiterbauelemente in den Umgebungsbedingungen des Traktionsumrichters beantwortet. Die Schaltvorgänge werden unter Einhaltung der Bauelementgrenzen optimiert. Hierbei wird neben messtechnischen Untersuchungen ein generisches SiC-MOSFET-Simulationsmodell vorgestellt und als Hilfsmittel verwendet. Zusätzlich werden die Kurzschlussfestigkeit der Halbleiterbauelemente untersucht und die möglichen Fehlerfälle im Traktionsumrichter hergeleitet, worauf ein auf die Eigenschaften der SiC-MOSFETs angepasster Kurzschlussschutz entworfen und evaluiert wird. Nachdem die Freilaufdioden im Traktionsumrichter, auf eine erfolgreiche Fehlerabschaltung folgend, Stoßstrombelastungen standhalten müssen, wird schließlich die Stoßstromrobustheit der internen Bodydiode untersucht und den bisher verwendeten Freilaufdioden gegenübergestellt. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
30.06.2020
Sprache
Deutsch
EAN
9783843944755
Herausgeber
Dr. Hut
Serien- oder Bandtitel
Elektrotechnik
Sonderedition
Nein
Autor
Patrick Hofstetter
Seitenanzahl
224
Einbandart
Taschenbuch
Schlagwörter
SiC MOSFET, Traktionsumrichter, Leistungshalbleiter
Thema-Inhalt
THR - Elektrotechnik
Höhe
240 mm
Breite
17 cm
-.-
★★★★★
☆☆☆☆☆ Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Sicher bei rebuy kaufen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!
Sicher bei rebuy kaufen