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Semiconductor Device Physics and Design

Umesh Mishra, Jasprit Singh (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
Semiconductor Device Physics and Design provides a fresh and unique teaching tool. Over the last decade device performances are driven by new materials, scaling, heterostructures and new device concepts. Semiconductor devices have mostly relied on Si but increasingly GaAs, InGaAs and heterostructures made from Si/SiGe, GaAs/AlGaAs etc have become important. Over the last few years one of the most exciting new entries has been the nitride based heterostructures. New physics based on polar charges and polar interfaces has become important as a result of the nitrides. Nitride based devices are now used for high power applications and in lighting and display applications. For students to be able to participate in this exciting arena, a lot of physics, device concepts, heterostructure concepts and materials properties need to be understood. It is important to have a textbook that teaches students and practicing engineers about all these areas in a coherent manner. Semiconductor Device Physics and Design starts out with basic physics concepts including the physics behind polar heterostructures and strained heterostructures. Important devices ranging from p-n diodes to bipolar and field effect devices is then discussed. An important distinction users will find in this book is the discussion presented on device needs from the perspective of various technologies. For example, how much gain is needed in a transistor, how much power, what kind of device characteristics are needed. Not surprisingly the needs depend upon applications. The needs of an A/D or D/A converter will be different from that of an amplifier in a cell phone. Similarly the diodes used in a laptop will place different requirements on the device engineer than diodes used in a mixer circuit. By relating device design to device performance and then relating device needs to system use the student can see how device design works in real world. This book is comprehensive without being overwhelming. The focus was to make this a useful text book so that the information contained is cohesive without including all aspects of device physics. The lesson plans demonstrated how this book could be used in a 1 semester or 2 quarter sequence.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
28.11.2007
Sprache
Englisch
EAN
9781402064807
Herausgeber
Springer Netherland
Sonderedition
Nein
Autor
Umesh Mishra, Jasprit Singh
Seitenanzahl
559
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
Doping, Semiconductor, bipolar junction transistor, delta-doped field-effect transistor, field-effect transistor, heterojunction bipolar transistor, junction field-effect transistor, metal oxide semiconductur field-effect transistor, metal semiconductor field-effect transistor, metal-oxide-semiconductor transistor, modulation-doped field-effect transistor, spintronics, static-induction transistor
Thema-Inhalt
TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik) PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer Netherlands, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

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