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Advanced High Voltage Power Device Concepts

B. Jayant Baliga (Broschiert, Englisch)

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Beschreibung
The devices described in “Advanced MOS-Gated Thyristor Concepts” are utilized in microelectronics production equipment, in power transmission equipment, and for very high power motor control in electric trains, steel-mills, etc. Advanced concepts that enable improving the performance of power thyristors are discussed here, along with devices with blocking voltage capabilities of 5,000-V, 10,000-V and 15,000-V. Throughout the book, analytical models are generated to allow a simple analysis of the structures and to obtain insight into the underlying physics. The results of two-dimensional simulations are provided to corroborate the analytical models and give greater insight into the device operation.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
08.12.2014
Sprache
Englisch
EAN
9781493901326
Herausgeber
Springer US
Sonderedition
Nein
Autor
B. Jayant Baliga
Seitenanzahl
568
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
Emitter Switched Thyristor, Insulated Gate Bipolar Transistors, MOS-Controlled Thyristors, Semiconductors, SiC Devices
Thema-Inhalt
THR - Elektrotechnik TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) TJF - Elektronik PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

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