iPhoneAlle anzeigen
iPhone 11iPhone 11 ProiPhone 11 Pro MaxiPhone 12iPhone 12 ProiPhone 12 Pro MaxiPhone 12 miniiPhone 13iPhone 13 ProiPhone 13 Pro MaxiPhone 13 miniiPhone 14iPhone 14 PlusiPhone 14 ProiPhone 14 Pro MaxiPhone 15iPhone 15 PlusiPhone 15 ProiPhone 15 Pro MaxiPhone 16iPhone 16 PlusiPhone 16 ProiPhone 16 Pro MaxiPhone 16eiPhone 8iPhone 8 PlusiPhone SE 2020iPhone SE 2022iPhone XiPhone XRiPhone XSiPhone XS Max
Galaxy A-SerieAlle anzeigen
Galaxy A12Galaxy A13Galaxy A13 5GGalaxy A14Galaxy A15Galaxy A16Galaxy A17Galaxy A17 5GGalaxy A20eGalaxy A21Galaxy A22Galaxy A23Galaxy A24Galaxy A25Galaxy A26 5GGalaxy A27 5GGalaxy A32Galaxy A33Galaxy A34Galaxy A35Galaxy A36 5GGalaxy A37Galaxy A40Galaxy A41Galaxy A42Galaxy A50Galaxy A51Galaxy A52Galaxy A53Galaxy A54Galaxy A55Galaxy A56 5GGalaxy A57 5GGalaxy A70Galaxy A71Galaxy A72
Redmi SeriesAlle anzeigen
Redmi 10Redmi 13CRedmi 15 5GRedmi Note 10Redmi Note 10 ProRedmi Note 11Redmi Note 11 ProRedmi Note 11 Pro Plus 5GRedmi Note 11sRedmi Note 12Redmi Note 12 5GRedmi Note 12 ProRedmi Note 12 Pro 5GRedmi Note 12 Pro PlusRedmi Note 13Redmi Note 13 5GRedmi Note 13 ProRedmi Note 13 Pro PlusRedmi Note 14Redmi Note 14 Pro PlusRedmi Note 15Redmi Note 15 5GRedmi Note 15 ProRedmi Note 15 Pro 5GRedmi Note 15 Pro Plus 5GRedmi Note 8 ProRedmi Note 9
- Startseite
Bücher Englische Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Physik & Astronomie Atomphysik & Kernphysik Compound and Josephson High-Speed Devices
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Compound and Josephson High-Speed Devices
(Broschiert, Englisch)
Optischer Zustand
Beschreibung
In recent years, III-V devices, integrated circuits, and superconducting integrated circuits have emerged as leading contenders for high-frequency and ultrahigh speed applications. GaAs MESFETs have been applied in microwave systems as low-noise and high-power amplifiers since the early 1970s, replacing silicon devices. The heterojunction high-electron-mobility transistor (HEMT), invented in 1980,… has become a key component for satellite broadcasting receiver systems, serving as the ultra-low-noise device at 12 GHz. Furthermore, the heterojunction bipolar transistor (HBT) has been considered as having the highest switching speed and cutoff frequency in the semiconductor device field. Initially most of these devices were used for analog high-frequency applications, but there is also a strong need to develop high-speed III-V digital devices for computer, telecom munication, and instrumentation systems, to replace silicon high-speed devices, because of the switching-speed and power-dissipation limitations of silicon. The potential high speed and low power dissipation of digital integrated circuits using GaAs MESFET, HEMT, HBT, and superconducting Josephson junction devices has evoked tremendous competition in the race to develop such technology. A technology review shows that Japanese research institutes and companies have taken the lead in the development of these devices, and some integrated circuits have already been applied to supercomputers in Japan. The activities of Japanese research institutes and companies in the III-V and superconducting device fields have been superior for three reasons. First, bulk crystal growth, epitaxial growth, process, and design technology were developed at the same time. 160,49 €
Broschiert | Neu
oder
zzgl.
Du kannst wie immer einen Kaufalarm setzen, wenn du auf das gebrauchte Buch warten möchtest.
zzgl.
Handgeprüfte Gebrauchtware
Bis zu 50 % günstiger als neu
21 Tage Widerrufsrecht
Technische Daten
Erscheinungsdatum
04.06.2013
Sprache
Englisch
EAN
9781475797763
Herausgeber
Springer US
Serien- oder Bandtitel
Microdevices
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
306
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
analog, heterojunction bipolar transistor, integrated circuit, material, semiconductor, transistor
Thema-Inhalt
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie
TGMT - Werkstoffprüfung
THR - Elektrotechnik
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
Höhe
254 mm
Breite
17.8 cm
Auf gebrauchten Artikeln oder Originalverpackungen sichtbare Umwelt-, Nachhaltigkeits- oder Zertifizierungsangaben stammen aus der ursprünglichen Herstellerkennzeichnung. Sie stellen keine eigene aktuelle Umwelt- oder Nachhaltigkeitsaussage von rebuy dar. Maßgeblich für das Angebot sind ausschließlich die von rebuy in der Artikelbeschreibung angegebenen Produkteigenschaften.
Transparenz & Sicherheit
Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
-.-
★★★★★
☆☆☆☆☆ Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Sicher bei rebuy kaufen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!
Sicher bei rebuy kaufen