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Growth Mechanisms and Novel Properties of Silicon Nanostructures from Quantum-Mechanical Calculations
Rui-Qin Zhang (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
In this volume, Prof. Zhang reviews the systematic theoretical studies in his group on the growth mechanisms and properties of silicon quantum dots, nanotubes and nanowires, including: mechanisms of oxide-assisted growth of silicon nanowires, energetic stability of pristine silicon nanowires and nanotubes, thermal stability of hydrogen terminated silicon nanostructures, size-dependent oxidation of… hydrogen terminated silicon nanostructures, excited-state relaxation of hydrogen terminated silicon nanodots, and direct-indirect energy band transitions of silicon nanowires and sheets by surface engineering and straining. He also discusses the potential applications of these findings. This book will mainly benefit those members of the scientific and research community working in nanoscience, surface science, nanomaterials and related fields. 53,49 €
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
05.12.2013
Sprache
Englisch
EAN
9783642409042
Herausgeber
Springer Berlin
Serien- oder Bandtitel
SpringerBriefs in Molecular Science
Sonderedition
Nein
Autor
Rui-Qin Zhang
Seitenanzahl
66
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
Electron Transport, Energy Band Structures, Growth Mechanism, Phonon Transport, Silicon Nanotubes, Silicon Nanowires, Silicon Quantum Dots, Silicon nanostructure, Structural Stability, Surface engineering
Thema-Inhalt
PNRP - Quanten- und theoretische Chemie
TBN - Nanotechnologie
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
PDT - Nanowissenschaften
TGMT - Werkstoffprüfung
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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