Bis zu 50 % günstiger als neu
3 Jahre rebuy Garantie
Professionelles Refurbishment
ElektronikMedien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air GenerationiPhone Duo Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 Generation
SamsungAlle anzeigen
SonyAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
GoogleKobo
AppleAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
MicrosoftAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
ObjektiveAlle anzeigen
Samyang
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
CanonAlle anzeigen
FujifilmAlle anzeigen
OlympusAlle anzeigen
PanasonicAlle anzeigen
SonyAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
Fitness TrackerAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
Xiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
KopfhörerAlle anzeigen
FairphoneGoogle
LautsprecherAlle anzeigen
GoogleYamahatonies
iPodAlle anzeigen

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

21 Tage Widerrufsrecht

Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond

Guilei Wang (Broschiert, Englisch)

Optischer Zustand
Beschreibung
This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling. As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly…  difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node. The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its patterndependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.
106,99 €
Broschiert | Neu

oder

Auf Lager Versandbereit in 2-3 Werktagen
zzgl.

Du kannst wie immer einen Kaufalarm setzen, wenn du auf das gebrauchte Buch warten möchtest.

Auf Lager Versandbereit in 2-3 Werktagen
zzgl.

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

21 Tage Widerrufsrecht

Technische Daten


Erscheinungsdatum
02.10.2020
Sprache
Englisch
EAN
9789811500480
Herausgeber
Springer Singapore
Serien- oder Bandtitel
Springer Theses
Sonderedition
Nein
Autor
Guilei Wang
Seitenanzahl
115
Einbandart
Broschiert
Autorenporträt
Dr. Guilei WANG received his Ph.D. degree from the University of Chinese Academy of Sciences. His research Interests mainly include Semiconductor Material Growth and Device Fabrication.
Schlagwörter
SiGe, RPCVD, source/drain technology, selective epitaxy, technology nodes, strain, pattern dependency
Thema-Inhalt
TJFD - Elektronische Geräte und Materialien TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) TJF - Elektronik
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Auf gebrauchten Artikeln oder Originalverpackungen sichtbare Umwelt-, Nachhaltigkeits- oder Zertifizierungsangaben stammen aus der ursprünglichen Herstellerkennzeichnung. Sie stellen keine eigene aktuelle Umwelt- oder Nachhaltigkeitsaussage von rebuy dar. Maßgeblich für das Angebot sind ausschließlich die von rebuy in der Artikelbeschreibung angegebenen Produkteigenschaften.

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!