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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Vassil Palankovski, Rüdiger Quay (Gebundene Ausgabe, Englisch)
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Beschreibung
Communication and information systems are subject to rapid and highly so phisticated changes. Currently semiconductor heterostructure devices, such as Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) and High Electron Mobility Transis tors (HEMTs), are among the fastest and most advanced high-frequency devices. They satisfy the requirements for low power consumption, medium integration, low cost in large… quantities, and high-speed operation capabilities in circuits. In the very high-frequency range, cut-off frequencies up to 500 GHz [557] have been reported on the device level. HEMTs and HBTs are very suitable for high efficiency power amplifiers at 900 MHz as well as for data rates higher than 100 Gbitfs for long-range communication and thus cover a broad range of appli cations. To cope with explosive development costs and the competition of today's semicon ductor industry, Technology Computer-Aided Design (TCAD) methodologies are used extensively in development and production. As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eight-inch wafers, are in volume production. Simulation tools for technology, devices, and circuits reduce expensive technological efforts. This book focuses on the application of simulation software to heterostructure devices with respect to industrial applications. In particular, a detailed discussion of physical modeling for a great variety of materials is presented. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
18.12.2003
Sprache
Englisch
EAN
9783211405376
Herausgeber
Springer Wien
Serien- oder Bandtitel
Computational Microelectronics
Sonderedition
Nein
Autor
Vassil Palankovski, Rüdiger Quay
Seitenanzahl
289
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
HBTs, HEMTs, Heterojunction Bipolar Transistors, High Electron Mobility Transistors, PES, STEM, Simulation, compound semiconductors, device optimization, device reliability, semiconductor development
Thema-Inhalt
TJF - Elektronik
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
TGM - Materialwissenschaft
UYM - Computermodellierung und -simulation
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
Transparenz & Sicherheit
Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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