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Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials

Dinh Van Tuan (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
This thesis presents an in-depth theoretical analysis of charge and spin transport properties in complex forms of disordered graphene. It relies on innovative real space computational methods of the time-dependent spreading of electronic wave packets. First a universal scaling law of the elastic mean free path versus the average grain size is predicted for polycrystalline morphologies, and charge mobilities of up to 300.000 cm2/V.s are determined for 1 micron grain size, while amorphous graphene membranes are shown to behave as Anderson insulators. An unprecedented spin relaxation mechanism, unique to graphene and driven by spin/pseudospin entanglement is then reported in the presence of weak spin-orbit interaction (gold ad-atom impurities) together with the prediction of a crossover from a quantum spin Hall Effect to spin Hall effect (for thallium ad-atoms), depending on the degree of surface ad-atom segregation and the resulting island diameter.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
04.11.2015
Sprache
Englisch
EAN
9783319255699
Herausgeber
Springer International Publishing
Serien- oder Bandtitel
Springer Theses
Sonderedition
Nein
Autor
Dinh Van Tuan
Seitenanzahl
153
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Autorenporträt
Dinh Van Tuan studied theoretical Physics at Ho Chi Minh City University of Science and obtained a masters degree in Theoretical and Mathematical Physics. He then pursued his Ph.D. work at ICN2 from September 2011 till September 2014 during which he developed the first spin dynamics theoretical studies on weakly disordered graphene. Since then, he has been working as post doctorate researcher within the Graphene Flagship project (graphene-flagship.eu/), in the group of ICREA Prof. Stephan Roche. Dinh Van Tuan is in charge of the development of new methodologies to scrutinize the physics of the spin Hall effect in graphene based materials.
Schlagwörter
Amorphous graphene membranes, Anderson localization, Charge mobility in disordered graphene, Graphene transistors simulation, Kubo-greenwood conductivity, Order N computational methods, Quantum spin Hall effect, Quantum transport in graphene, Spin Hall effect, Spin dynamics and relaxation mechanism, Weak and strong localization in graphene
Thema-Inhalt
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik) PDT - Nanowissenschaften TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien TGM - Materialwissenschaft
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com

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