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Beschreibung
In the 50 years since the invention of transistor, silicon integrated circuit (IC) technology has made astonishing advances. A key factor that makes these advances possible is the ability to have precise control on material properties and physical dimensions. The introduction of plasma processing in pattern transfer and in thin film deposition is a critical enabling advance among other things. In… state of the art silicon Ie manufacturing process, plasma is used in more than 20 different critical steps. Plasma is sometimes called the fourth state of matter (other than gas, liquid and solid). It is a mixture of ions (positive and negative), electrons and neutrals in a quasi-neutral gaseous steady state very far from equilibrium, sustained by an energy source that balances the loss of charged particles. It is a very harsh environment for the delicate ICs. Highly energetic particles such as ions, electrons and photons bombard the surface of the wafer continuously. These bombardments can cause all kinds of damage to the silicon devices that make up the integrated circuits. 213,99 €
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
30.08.2012
Sprache
Englisch
EAN
9781447110620
Herausgeber
Springer London
Sonderedition
Nein
Autor
Kin P. Cheung
Seitenanzahl
346
Auflage
1
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
Damage management, Damage measurement, Diode, EEPROM, EPROM, Gate-oxides, MOSFET, PROM, Plasma charging damage, ROM, Transistor, VLSI, Wafer, design, model
Thema-Inhalt
TDC - Industrielle Chemie und Chemietechnologie
TGP - Fertigungstechnik und Ingenieurwesen
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
TJF - Elektronik
TGM - Materialwissenschaft
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
Transparenz & Sicherheit
Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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