Bis zu 50 % günstiger als neu 3 Jahre rebuy Garantie Professionelles Refurbishment
ElektronikMedien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
Honor SerieY-Serie
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 Generation
SamsungAlle anzeigen
Galaxy XcoverWeitere Modelle
SonyAlle anzeigen
Weitere Modelle
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
Google
AppleAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
MicrosoftAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
ObjektiveAlle anzeigen
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
Fitness TrackerAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
Xiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
KopfhörerAlle anzeigen
FairphoneGoogle
LautsprecherAlle anzeigen
Beats by Dr. DreGoogleYamahatonies
iPodAlle anzeigen

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2

(Broschiert, Englisch)

Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
The first international symposium on the subject "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 Interface," organized in association with the Electrochemical Society, Inc. , was held in Atlanta, Georgia on May 15- 20, 1988. This symposium contained sixty papers and was so successful that the sponsoring divisions decided to schedule it on a regular basis every four years. Thus, the second symposium on "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si02 Interface was held May 18-21, 1992 in St. Louis, Missouri, again sponsored by the Electronics and Dielectrics Science and Technology Divisions of The Electrochemical Society. This volume contains manuscripts of most of the fifty nine papers presented at the 1992 symposium, and is divided into eight chapters - approximating the organization of the symposium. Each chapter is preceded with an introduction by the session organizers. It is appropriate to provide a general assessment of the current status and understanding of the physics and chemistry of Si02 and the Si02 interface before proceeding with a brief overview of the individual chapters. Semiconductor devices have continued to scale down in both horizontal and vertical dimensions. This has resulted in thinner gate and field oxides as well as much closer spacing of individual device features. As a result, surface condition, native oxide composition, and cleaning and impurity effects now provide a much more significant contribution to the properties of oxides and their interfaces.
Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
ab 29,99 €
Derzeit nicht verfügbar
Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Technische Daten


Erscheinungsdatum
19.11.2013
Sprache
Englisch
EAN
9781489915900
Herausgeber
Springer US
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
503
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
defects, dielectrics, electronics, modeling, semiconductor, semiconductor devices
Thema-Inhalt
PNRH - Elektrochemie und Magnetochemie PNR - Physikalische Chemie THR - Elektrotechnik TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

Informationen nach EU Data Act

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!