This book offers, from both a theoretical and a computational perspective, an analysis of macroscopic mathematical models for description of charge transport in electronic devices, in particular in the presence of confining effects, such as in the double gate MOSFET. The models are derived from the semiclassical Boltzmann equation by means of the moment method and are closed by resorting to the

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Produktinformationen

Technische Daten

Erscheinungsdatum

03.03.2021

Sprache

Englisch

EAN

9783030359959

Herausgeber

Springer International Publishing

Serien- oder Bandtitel

The European Consortium for Mathematics in Industry

Sonderedition

Nein

Autor

Vito Dario Camiola, Giovanni Mascali, Vittorio Romano

Seitenanzahl

337

Einbandart

Broschiert

Buch Untertitel

The Maximum Entropy Approach

Schlagwörter

Maximum entropy principle, charge transport in confined structure, simulation of electron devices, charge transport in graphene, DG-MOSFET

Thema-Inhalt

PHU - Mathematische Physik TBJ - Mathematik für Ingenieure TBN - Nanotechnologie

Höhe

235 mm

Breite

15.5 cm

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Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures

Vito Dario Camiola, Giovanni Mascali, Vittorio Romano (Broschiert, Englisch)

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