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Bücher Englische Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Technik Elektronik, Elektro- und Nachrichtentechnik Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors
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Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors
(Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
Instabilities associated with hot electrons in semiconductors have been investigated from the beginning of transistor physics in the 194Os. The study of NDR and impact ionization in bulk material led to devices like the Gunn diode and the avalanche-photo-diode. In layered semiconductors domain formation in HEMTs can lead to excess gate leakage and to excess noise. The studies of hot electron… transport parallel to the layers in heterostructures, single and multiple, have shown abundant evidence of electrical instability and there has been no shortage of suggestions concerning novel NDR mechanisms, such as real space transfer, scattering induced NDR, inter-sub band transfer, percolation effects etc. Real space transfer has been exploited in negative-resistance PETs (NERFETs) and in the charge-injection transistor (CHINT) and in light emitting logic devices, but far too little is known and understood about other NDR mechanisms with which quantum well material appears to be particularly well-endowed, for these to be similarly exploited. The aim of this book is therefore to collate what is known and what is not known about NDR instabilities, and to identify promising approaches and techniques which will increase our understanding of the origin of these instabilities which have been observed during the last decade of investigations into high-field longitudinal transport in layered semiconductors. The book covers the fundamental properties of hot carrier transport and the associated instabilities and light emission in 2-dimensional semiconductors dealing with both theory and experiment. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
10.01.2012
Sprache
Englisch
EAN
9781461362203
Herausgeber
Springer US
Serien- oder Bandtitel
NATO Science Series B:
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
454
Auflage
1
Einbandart
Broschiert
Bandzählung
307
Schlagwörter
Energie, Semiconductor, electrons, logic, transistor
Thema-Inhalt
THR - Elektrotechnik
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie
TGMT - Werkstoffprüfung
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
Höhe
254 mm
Breite
17.8 cm
Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com
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