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Ion Implantation and Synthesis of Materials
Michael Nastasi, James W. Mayer (Gebundene Ausgabe, Englisch)
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Beschreibung
Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to… reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
09.08.2006
Sprache
Englisch
EAN
9783540236740
Herausgeber
Springer Berlin
Sonderedition
Nein
Autor
Michael Nastasi, James W. Mayer
Seitenanzahl
263
Auflage
1
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
Diffusion, Doping, Implanted shallow junctions, Ion implantation, Ion ranges, Ion-modified materials, Slicing silicon, crystal, distribution, materials properties, materials science
Thema-Inhalt
PHP - Teilchen- und Hochenergiephysik
PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik)
TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
TGMT - Werkstoffprüfung
PNR - Physikalische Chemie
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH
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