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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Jutta Kühn (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of… the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
17.06.2011
Sprache
Englisch
EAN
9783866446151
Herausgeber
KIT Scientific Publishing
Serien- oder Bandtitel
Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik
Sonderedition
Nein
Autor
Jutta Kühn
Seitenanzahl
259
Einbandart
Broschiert
Bandzählung
62
Schlagwörter
AlGaN/GaN HEMT, X-band, power amplifier, power-added efficiency, MMIC design
Thema-Inhalt
TJ - Elektronik, Nachrichtentechnik
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm
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