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Bücher Englische Bücher Wissen & Bildung Naturwissenschaft, Medizin, Informatik, Technik Technik Wärme-, Energie- und Kraftwerktechnik AlGaN/GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors.
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AlGaN/GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors.
Christian Haupt (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
In this work a scaling approach is studied to develop a transistor technology which achieves a high gain as well as a high output power at W-band frequencies and can be applied in the existing fabrication process for MMICs. Following the theoretical scaling rules for field effect transistors lateral and vertical critical dimensions of 100 nm and 10 nm must be achieved, respectively. Therefore… various new fabrication processes were developed to enable the new critical dimensions with a sufficient production yield for MMIC fabrication.Transistors fabricated with these methods were evaluated regarding the influence of the scaled geometries on the device characteristics using S-parameter as well as DC-measurements. As a result a transistor technology could be established with a transconductance above 600 mS/mm which is one of the highest reported values for GaN-based HEMTs so far. Furthermore, these transistors feature a very low parasitic capacitance of 0.3 pF/mm and can as a consequence achieve a current-gain cut-off frequency of more than 110 GHz.Besides the high frequency characteristics short channel effects and their influence on the device characteristics were also evaluated. The scaled transistors are dominated by a drain induced barrier lowering (DIBL) and a critical aspect ratio of approximately 14 is necessary to suppress the DIBL-effect in GaN-HEMTs. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
22.09.2011
Sprache
Englisch
EAN
9783839603031
Herausgeber
Fraunhofer Verlag
Serien- oder Bandtitel
Science for systems
Sonderedition
Nein
Autor
Christian Haupt
Seitenanzahl
197
Einbandart
Broschiert
Bandzählung
3
Schlagwörter
Fraunhofer IAF, Angewandte Forschung, applied research, Designer und Entwickler von GaN-basierten Hochfrequenzschaltungen, Doktoranten mit ähnlichem Thema
Thema-Inhalt
TBN - Nanotechnologie
TJFD - Elektronische Geräte und Materialien
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm
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