Bis zu 50 % günstiger als neu
3 Jahre rebuy Garantie
Professionelles Refurbishment
Elektronik
Deals
Medien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 GenerationOnePlus 5 GenerationOnePlus 6 GenerationWeitere Modelle
SamsungAlle anzeigen
Galaxy XcoverWeitere Modelle
SonyAlle anzeigen
Weitere ModelleXperia LXperia MXperia X
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
Google
AppleAlle anzeigen
Zubehör
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
Kamera Bundles
ObjektiveAlle anzeigen
SamyangZEISS
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
CanonAlle anzeigen
FujifilmAlle anzeigen
OlympusAlle anzeigen
PanasonicAlle anzeigen
SonyAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
LGMotorolaSonyXiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Game Boy ClassicNintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
Zubehör
iPodAlle anzeigen
Zubehör

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Defects in Self-Catalysed III-V Nanowires

James A. Gott (Gebundene Ausgabe, Englisch)

Optischer Zustand
Beschreibung
This thesis presents an in-depth exploration of imperfections that can be found in self-catalysed III-V semiconductor nanowires. By utilising advanced electron microscopy techniques, the interface sharpness and defects at the atomic and macroscopic scale are analysed. It is found that a surprising variety and quantity of defect structures can exist in nanowire systems, and that they can in fact host some never-before-seen defect configurations. To probe how these defects are formed, conditions during nanowire growth can be emulated inside the microscope using the latest generation of in-situ heating holder. This allowed the examination of defect formation, dynamics, and removal, revealing that many of the defects can in fact be eliminated. This information is critical for attaining perfect nanowire growth. The author presents annealing strategies to improve crystal quality, and therefore device performance.
Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
ab 43,99 €
Derzeit nicht verfügbar
Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Technische Daten


Erscheinungsdatum
29.01.2022
Sprache
Englisch
EAN
9783030940614
Herausgeber
Springer International Publishing
Serien- oder Bandtitel
Springer Theses
Sonderedition
Nein
Autor
James A. Gott
Seitenanzahl
143
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
III-V, Defects, Electron Microscopy, Atomic Resolution Microscopy, In-Situ Microscopy, Scanning Transmission Electron Microscope, Transmission Electron Microscope, Heterostructures
Thema-Inhalt
TJFD - Elektronische Geräte und Materialien TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien TGMT - Werkstoffprüfung
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!