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HEMT Technology and Applications

(Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
This book covers two broad domains: state-of-the-art research in GaN HEMT and Ga2O3 HEMT. Each technology covers materials system, band engineering, modeling and simulations, fabrication techniques, and emerging applications. The book presents basic operation principles of HEMT, types of HEMT structures, and semiconductor device physics to understand the device behavior. The book presents numerical modeling of the device and TCAD simulations for high-frequency and high-power applications. The chapters include device characteristics of HEMT including 2DEG density, Id-Vgs, Id-Vds, transconductance, linearity, and C-V. The book emphasizes the state-of-the-art fabrication techniques of HEMT and circuit design for various applications in low noise amplifier, oscillator, power electronics, and biosensor applications. The book focuses on HEMT applications to meet the ever-increasing demands of the industry, innovation in terms of materials, design, modeling, simulation, processes, and circuits. The book will be primarily helpful to undergraduate/postgraduate, researchers, and practitioners in their research.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
24.06.2022
Sprache
Englisch
EAN
9789811921643
Herausgeber
Springer Singapore
Serien- oder Bandtitel
Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
245
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
HEMT, HFET, GaAs Technology, GaN Technology, Ga2O3 Technology, Nanoelectronics, High Frequency, Power Electronics, RF/Microwave, Sensor
Thema-Inhalt
TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) TJF - Elektronik GPFC - Kybernetik und Systemtheorie
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

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