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Compound Semiconductor Materials and Devices
Zhaojun Liu, Tongde Huang, Qiang Li, Xing Lu, Xinbo Zou (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT… device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices. 29,95 €
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
22.02.2016
Sprache
Englisch
EAN
9783031009006
Herausgeber
Springer International Publishing
Titel in Originalsprache
Compound Semiconductor Materials and Devices
Serien- oder Bandtitel
Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies
Sonderedition
Nein
Autor
Zhaojun Liu, Tongde Huang, Qiang Li, Xing Lu, Xinbo Zou
Seitenanzahl
65
Auflage
1
Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, ProductSafety@springernature.com
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