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Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
Roland Krebs (Broschiert, Deutsch)
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Optischer Zustand
Beschreibung
Da auf der Basis von Silizium nur aufwändig konstruierte, teurere hybride Operationsverstärker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfügbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengünstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
01.07.2013
Sprache
Deutsch
EAN
9783842899858
Herausgeber
Diplomica Verlag
Sonderedition
Nein
Autor
Roland Krebs
Seitenanzahl
120
Auflage
1
Einbandart
Broschiert
Autorenporträt
Roland Krebs wurde 1976 in Aschaffenburg geboren. Nach dem Studium und der Promotion in Physik mit dem Schwerpunkt Halbleiterphysik und –technologie an der Universität Würzburg, war der Autor in verschiedenen Positionen als Manager für Forschungs- und Technologieprojekte im Bereich der Hochfrequenztechnik tätig. Im Laufe dieser beruflichen Tätigkeit ist ein besonderes Interesse an der Hochfrequenztechnik und insbesondere an der Galliumnitrid-Technologie entstanden, auf der heutzutage viele Halbleiterbauteile der Hochfrequenztechnik basieren. Aufgrund dieses persönlichen Interesses und zur berufsbegleitenden Weiterbildung nahm der Autor ein Studium an der FernUniversität Hagen im Fach Elektrotechnik auf. Im Rahmen dieses Studiums und basierend auf den vorhandenen akademischen und beruflichen Kenntnissen ist die vorliegende Studie entstanden.
Schlagwörter
Hochfrequenzverhalten, Silizium-Substrat, Hohe Leistung, Schaltungskonzept, Feldeffekttransistor, Verstärkungsbandbreite
Höhe
270 mm
Breite
19 cm
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