Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern
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Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepassten und metamorphen (InGaAI)As-Verbindungshalbleitern
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