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GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
Peng Luo (Unbekannter Einband, Englisch)
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Beschreibung
GaN HEMTs are regarded as one of the most promising RF power transistor technologies thanks to their high-voltage high-speed characteristics. However, they are still known to be prone to trapping effects, which hamper achievable output power and linearity. Hence, accurately and efficiently modeling the trapping effects is crucial in nonlinear large-signal modeling for GaN HEMTs.
This work proposes… a trap model based on Chalmers model, an industry standard large-signal model. Instead of a complex nonlinear trap description, only four constant parameters of the proposed trap model need to be determined to accurately describe the significant impacts of the trapping effects, e.g., drain-source current slump, typical kink observed in pulsed I/V characteristics, and degradation of the output power. Moreover, the extraction procedure of the trap model parameters is based on pulsed S-parameter measurements, which allow to freeze traps and isolate the trapping effects from self-heating. The model validity is tested through small- and large-signal model verification procedures. Particularly, it is shown that the use of this trap model enables to dramatically improve the large-signal simulation results. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
09.01.2019
Sprache
Englisch
EAN
9783736999060
Herausgeber
Cuvillier Verlag
Serien- oder Bandtitel
Innovationen mit Mikrowellen und Licht
Sonderedition
Nein
Autor
Peng Luo
Seitenanzahl
160
Auflage
1
Einbandart
Unbekannter Einband
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