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Polycrystalline Semiconductors II

(Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
This book contains papers that were presented at the International Conference on Polycrystalline Semiconductors - Grain Boundaries, Dislocations and Het erointerfaces - (POLYSE '90), which was held in Schwabisch Hall, FRG, from July 30 to August 3, 1990. This conference was a satellite conference of the 20th International Conference on the Physics of Semiconductors. POLYSE '90, like its predecessor POLYSE '88, brought together scientists from research in stitutions and industrial laboratories with a view to bridging the gap between fundamental and technological aspects of polycrystalline semiconductors. With this aim, a total of 14 recognized scientists from universities and in dustry were invited to review their fields of interest. The expert presentations of these scientists were complemented by contributed papers and poster con tributions, the authors of which were additionally allowed four minutes for an oral summary. This combination of different types of presentation led to very lively and stimulating discussions.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
16.12.1991
Sprache
Englisch
EAN
9783540536130
Herausgeber
Springer Berlin
Serien- oder Bandtitel
Springer Proceedings in Physics
Sonderedition
Nein
Seitenanzahl
549
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Buch Untertitel
Proceedings of the Second International Conference Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30–August 3,1990
Bandzählung
54
Schlagwörter
dislocations, misfitting interfaces, semiconductor thin films, Grain boundaries in semiconductors, polycrystalline semiconductors
Thema-Inhalt
TGM - Materialwissenschaft PNRX - Oberflächenchemie und Adsorption TJF - Elektronik PNR - Physikalische Chemie
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
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