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Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIV
W Jantsch (Broschiert, Englisch)
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Beschreibung
Volume is indexed by Thomson Reuters CPCI-S (WoS).
The papers contained herein cover the most important and timely issues in the field of “Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology”, ranging from the theoretical analysis of defect problems to practical engineering solutions, with the emphasis on Si-based materials. Apart from the traditional topics of defect and materials… engineering, characterization, modeling and simulation, and the co-integration of various material classes, topics such as materials for solar cells and photonics are discussed. Defects in graphene and in nanocrystals and nanowires are also treated, making this a very up-to-date survey of the field. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Der Umwelt zuliebe
Technische Daten
Erscheinungsdatum
01.10.2011
Sprache
Englisch
EAN
9783037852323
Herausgeber
Trans Tech
Serien- oder Bandtitel
Solid State Phenomena
Sonderedition
Nein
Autor
W Jantsch
Seitenanzahl
516
Einbandart
Broschiert
Bandzählung
178-179
Schlagwörter
Annealing, Czochralski Silicon, Deep Level, Defect, Dislocation, DLTS, Germanium, Grain Boundary, Hydrogen, Ion Implantation, Iron, Luminescence, Multicrystalline Silicon, Oxygen, Radiation Defect, Silicon, Transmission Electron Microscopy (TEM), Vacancy, Void
Thema-Inhalt
TGM - Materialwissenschaft
Höhe
240 mm
Breite
17 cm
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