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Der Umwelt zuliebe

Langzeitstabilität von Cu(In,Ga)Se2-Dünnschichtsolarzellen

Thomas Ott (Unbekannter Einband, Deutsch)

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Beschreibung
Das Ziel der vorliegenden Dissertation ist die Untersuchung der Langzeitstabilität von CIGS-Dünnschichtsolarzellen. Basis der Untersuchungen sind beschleunigte Alterungstests. Eine elementare Erkenntnis der beschleunigten Alterungstests war, dass das Verhalten bei tiefen Temperaturen im Ausgangszustand nach Dauertests bei Raumtemperatur auftritt. Eine Barriere am Rückkontakt wurde als ursächlicher Degradationsmechanismus ermittelt. Auf dieser Erkenntnis basierend wurde ein Modell zur Beschreibung des Zellverhaltens über den gesamten Temperaturbereich entwickelt und eingeführt. Hauptbestandteil des „Phototransistormodells“ ist eine Barriere am Rückkontakt. Damit konnte eine neue Methode zur Bestimmung der Barriere am Rückkontakt entwickelt werden. Als Ursache für die beobachteten Veränderungen der Zellcharakteristika wurde eine Erhöhung der Barriere am Rückkontakt identifiziert. Durch Messungen und Simulationen konnte ein direkter Zusammenhang zwischen der N1-Stufe in der Admittanzspektroskopie und der Barriere am Rückkontakt hergestellt werden. Das beobachtete Verhalten von Zellen bei einem Dauertest unter negativer Spannung konnte mit dem Punch-Through Effekt erklärt werden. Die Dauertests ergaben keine erhebliche Verschlechterung der Lebensdauer, die Langzeitstabilität ist dem zu Folge nicht als kritisch zu bewerten.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
17.07.2019
Sprache
Deutsch
EAN
9783736970380
Herausgeber
Cuvillier Verlag
Sonderedition
Nein
Autor
Thomas Ott
Seitenanzahl
146
Auflage
1
Einbandart
Unbekannter Einband
Schlagwörter
Heteroübergang, Admittance spectroscopy, Kennlinienverhalten, Endurance test, Parameterextraktion, Cu(In,Ga)Se2, p-n-junction, Barrier at the back contact, Kennlinienveränderungen, Degradation mechanism, CIGS solar cells, Parameterdriften, Langzeitstabilität, Low-temperature behaviour, heterojunction, Intensity dependent characteristics, Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid, Back contact, p-n-Übergang, Stability, Doping profile, Temperature dependent characteristics, Long term stability, CIGS-Solarzellen, Phototransistormodells, Intensitätsabhängige Kennlinien, Copper-Indium-Gallium-Diselenide, Unilluminated and illuminated I-V characteristics, Kapazität-Spannungs-Charakteristik, Thin film solar cells, Spannungsinduzierte Veränderungen, Quantum efficiency, Admittanzspektroskopie, Stabilität, Degradationsmechanismus, Quantenausbeute, Accelerated aging test, Parameter drift, External quantum efficiency, Dunkel- und Hellkennlinie, Voltage induced changes, Intensitätsabhängigkeit, Intensity dependence, Punch-Through Effekt, Capacitance-voltage characteristics, Lifetime, Parameter extraction, Optimierung der Langzeitstabilität, Characteristic changes, Rückkontakt, CIGS, Punch-through effect, Tieftemperaturverhalten, Lebensdauer, Lifetime estimation, Temperaturabhängige Kennlinien, Phototransistor model, Dauertest, Externe Quantenausbeute, Strom-Spannungs-Charakteristik, beschleunigte Alterungstests, Current-voltage characteristics, Dünnschichtsolarzellen, Thin film technology, Optimation of the long term stability, Barriere am Rückkontakt, Dünnschichttechnologie, Lebensdauerkalkulation, Dotierungsprofil, CIS
Thema-Inhalt
THR - Elektrotechnik
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm

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