Schlagwörter
Heteroübergang, Admittance spectroscopy, Kennlinienverhalten, Endurance test, Parameterextraktion, Cu(In,Ga)Se2, p-n-junction, Barrier at the back contact, Kennlinienveränderungen, Degradation mechanism, CIGS solar cells, Parameterdriften, Langzeitstabilität, Low-temperature behaviour, heterojunction, Intensity dependent characteristics, Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid, Back contact, p-n-Übergang, Stability, Doping profile, Temperature dependent characteristics, Long term stability, CIGS-Solarzellen, Phototransistormodells, Intensitätsabhängige Kennlinien, Copper-Indium-Gallium-Diselenide, Unilluminated and illuminated I-V characteristics, Kapazität-Spannungs-Charakteristik, Thin film solar cells, Spannungsinduzierte Veränderungen, Quantum efficiency, Admittanzspektroskopie, Stabilität, Degradationsmechanismus, Quantenausbeute, Accelerated aging test, Parameter drift, External quantum efficiency, Dunkel- und Hellkennlinie, Voltage induced changes, Intensitätsabhängigkeit, Intensity dependence, Punch-Through Effekt, Capacitance-voltage characteristics, Lifetime, Parameter extraction, Optimierung der Langzeitstabilität, Characteristic changes, Rückkontakt, CIGS, Punch-through effect, Tieftemperaturverhalten, Lebensdauer, Lifetime estimation, Temperaturabhängige Kennlinien, Phototransistor model, Dauertest, Externe Quantenausbeute, Strom-Spannungs-Charakteristik, beschleunigte Alterungstests, Current-voltage characteristics, Dünnschichtsolarzellen, Thin film technology, Optimation of the long term stability, Barriere am Rückkontakt, Dünnschichttechnologie, Lebensdauerkalkulation, Dotierungsprofil, CIS