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Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems
Robin Lang (Broschiert, Deutsch)
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Beschreibung
Auf dem Weg zu einer erfolgreichen Energiewende kommt der Photovoltaik eine bedeutende Rolle zu. Die größte Verbreitung in diesem Bereich weisen Silizium-Solarzellen auf, die als Massenprodukt zu vergleichsweise geringen Kosten hergestellt werden, aber in ihrer Effizienz auf unter 30 % limitiert sind. Deutlich höhere Wirkungsgrade lassen sich mit Mehrfachsolarzellen aus III-V-Halbleitern erzielen,… die bereits Effizienzen bis 47 % erreicht haben.
In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zu Materialeigenschaften der dabei verwendeten III-V Halbleiterverbindungen durchgeführt. Insbesondere wurde die GaAs-Wachstumsrate mittels MOVPE von 4 auf 280 µm/h erhöht, wodurch der Solarzellenabsorber in unter 2 statt über 45 Minuten abgeschieden werden konnte. Eine mit 100 µm/h abgeschiedene GaAs-Solarzelle erreichte fast 96 % der Effizienz einer langsam gewachsenen Referenz. Zusätzlich wurde die Eignung von GaInAsP als Material für Weltraumsolarzellen untersucht, wobei sich n-GaInAsP mit hohem InP-Gehalt als vielversprechend herausgestellt hat. Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
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Technische Daten
Erscheinungsdatum
17.10.2023
Sprache
Deutsch
EAN
9783839619391
Herausgeber
Fraunhofer Verlag
Serien- oder Bandtitel
Solare Energie- und Systemforschung / Solar Energy and Systems Research
Sonderedition
Nein
Autor
Robin Lang
Seitenanzahl
130
Einbandart
Broschiert
Schlagwörter
Photovoltaik, Mehrfachsolarzellen, Halbleiterverbindungen, Ingenieure, Physiker
Thema-Inhalt
THV - Alternative und erneuerbare Energiequellen und -technik
PHV - Angewandte Physik
Höhe
210 mm
Breite
14.8 cm
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