Bis zu 50 % günstiger als neu 3 Jahre rebuy Garantie Professionelles Refurbishment
ElektronikMedien
Tipps & News
AppleAlle anzeigen
TabletsAlle anzeigen
HandyAlle anzeigen
Fairphone
AppleAlle anzeigen
iPhone Air Generation
GoogleAlle anzeigen
Pixel Fold
HonorAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
Honor SerieY-Serie
NothingAlle anzeigen
OnePlusAlle anzeigen
OnePlus 11 GenerationOnePlus 12 Generation
SamsungAlle anzeigen
Galaxy XcoverWeitere Modelle
SonyAlle anzeigen
Weitere Modelle
XiaomiAlle anzeigen
Weitere Modelle
Tablets & eBook ReaderAlle anzeigen
Google
AppleAlle anzeigen
HuaweiAlle anzeigen
MatePad Pro Serie
MicrosoftAlle anzeigen
XiaomiAlle anzeigen
Kameras & ZubehörAlle anzeigen
ObjektiveAlle anzeigen
System & SpiegelreflexAlle anzeigen
WearablesAlle anzeigen
Fitness TrackerAlle anzeigen
SmartwatchesAlle anzeigen
Xiaomi
Konsolen & ZubehörAlle anzeigen
Lenovo Legion GoMSI Claw
NintendoAlle anzeigen
Nintendo Switch Lite
PlayStationAlle anzeigen
XboxAlle anzeigen
Audio & HiFiAlle anzeigen
KopfhörerAlle anzeigen
FairphoneGoogle
LautsprecherAlle anzeigen
Beats by Dr. DreGoogleYamahatonies
iPodAlle anzeigen

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Electronic Structure of Semiconductor Interfaces

Winfried Mönch (Gebundene Ausgabe, Englisch)

Keine Bewertungen vorhanden
Optischer Zustand
Beschreibung
This concise volume examines the characteristic electronic parameters of semiconductor interfaces, namely the barrier heights of metal–semiconductor or Schottky contacts and the valence-band discontinuities of semiconductor–semiconductor interfaces or heterostructures. Both are determined by the same concept, namely the wave-function tails of electron states overlapping a semiconductor band gap directly at the interface. These interface-induced gap states (IFIGS) result from the complex band structure of the corresponding semiconductor. The IFIGS are characterized by two parameters, namely by their branch point, at which their charge character changes from predominantly valence-band- to conduction-band-like, and secondly by the proportionality factor or slope parameter of the corresponding electric-dipole term, which varies in proportion to the difference in the electronegativities of the two solids forming the interface. This IFIGS-and-electronegativity concept consistently and quantitatively explains the experimentally observed barrier heights of Schottky contacts as well as the valence-band offsets of heterostructures. Insulators are treated as wide band-gap semiconductors.
Dieses Produkt haben wir gerade leider nicht auf Lager.
ab 28,99 €
Derzeit nicht verfügbar
Derzeit nicht verfügbar

Handgeprüfte Gebrauchtware

Bis zu 50 % günstiger als neu

Der Umwelt zuliebe

Technische Daten


Erscheinungsdatum
15.06.2024
Sprache
Englisch
EAN
9783031590634
Herausgeber
Springer International Publishing
Serien- oder Bandtitel
Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology
Sonderedition
Nein
Autor
Winfried Mönch
Seitenanzahl
150
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
metal semi-conductor, band gap, interface-induced gap states, band structure, semiconductor interfaces
Thema-Inhalt
TJFD - Elektronische Geräte und Materialien PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik) TGM - Materialwissenschaft TGMT - Werkstoffprüfung PNRP - Quanten- und theoretische Chemie
Höhe
240 mm
Breite
16.8 cm

Hersteller: Springer, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

Warnhinweise und Sicherheitsinformationen

Informationen nach EU Data Act

-.-
Leider noch keine Bewertungen
Leider noch keine Bewertungen
Schreib die erste Bewertung für dieses Produkt!
Wenn du eine Bewertung für dieses Produkt schreibst, hilfst du allen Kund:innen, die noch überlegen, ob sie das Produkt kaufen wollen. Vielen Dank, dass du mitmachst!