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Beschreibung
This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. This first volume focuses on the Physics, Technology, and Design of Power Devices. It provides a comprehensive explanation of the physical principles essential for understanding modern power devices. The complementation of the classical pn-theory regarding high-injection behavior and the description of emitters by H. Schlangenotto is now rounded off, displayed in newly written Sections. For IGBTs, new structures with strong carrier confinement are added. New are special chapters on SiC devices and GaN devices. In the SiC chapter, the bipolar mode of the MOSFET body diode and its reverse recovery is discussed for the first time. The edition provides extended content offering significant updates compared to previous editions.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
21.09.2026
Sprache
Englisch
EAN
9783032156952
Herausgeber
Springer International Publishing
Sonderedition
Nein
Autor
Josef Lutz, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, Rik DeDoncker
Seitenanzahl
565
Auflage
3
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Buch Untertitel
Volume 1: Physics, Technology and Design of Power Devices
Schlagwörter
Fast Diodes, IGBT, MOFSET, Packaging Technology, Power Electronics
Thema-Inhalt
TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) THR - Elektrotechnik TH - Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau TJF - Elektronik
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer Nature Switzerland AG, Europaplatz 3,69115 Heidelberg, Germany, Heidelberg, Deutschland, ProductSafety@springernature.com, Springer Nature Customer Service Center GmbH

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