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Fundamentals of Power Semiconductor Devices

B. Jayant Baliga (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
27.10.2008
Sprache
Englisch
EAN
9780387473130
Herausgeber
Springer US
Sonderedition
Nein
Autor
B. Jayant Baliga
Seitenanzahl
1069
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
semiconductor devices, Leistungsfeldeffekttransistor, Schottky rectifiers, power electronics, Transistor, field-effect transistor, silicon devices, metal oxide semiconductur field-effect transistor, Thyristor, transport physics, bipolar junction transistor
Thema-Inhalt
TJF - Elektronik TH - Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau TJFC - Schaltkreise und Komponenten (Bauteile) PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie PDN - Wissenschaftliche Ausstattung, Experimente und Techniken TH - Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau
Höhe
235 mm
Breite
15.5 cm
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