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Semiconductor Devices

Simon M. Sze (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
Ausgehend von einem historischen Überblick über Bauelemente und Fertigungsverfahren, wird das Gebiet in drei großen Abschnitten diskutiert: Eigenschaften von Halbleiter-Bauelementen und Herstellungsmethoden für Halbleiter.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
24.09.2001
Sprache
Englisch
EAN
9780471333722
Herausgeber
John Wiley & Sons
Sonderedition
Nein
Autor
Simon M. Sze
Seitenanzahl
566
Auflage
2
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Buch Untertitel
Physics and Technology
Schlagwörter
Halbleiterbauelement, Halbleiter, Informatik, EDV / Informatik
Inhaltsverzeichnis
Preface. Introduction. PART I: SEMICONDUCTOR PHYSICS. Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibrium. Carrier Transport Phenomena. PART II: SEMICONDUCTOR DEVICES. p-n Junction. Bipolar Transistor and Related Devices. MOSFET and Related Devices. MESFET and Related Devices. Microwave Diodes, Quantum-Effect, and Hot-Electron Devices. Photonic Devices. PART III: SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY. Crystal Growth and Epitaxy. Film Formation. Lithography and Etching. Impurity Doping. Integrated Devices. Appendix A: List of Symbols. Appendix B: International Systems of Units (SI Units). Appendix C: Unit Prefixes. Appendix D: Greek Alphabet. Appendix E: Physical Constants. Appendix F: Properties of Important Element and Binary Compound Semiconductors at 300 K. Appendix G: Properties of Si and GaAs at 300 K. Appendix H: Derivation of the Density of States in Semiconductor. Appendix I: Derivation of Recombination Rate for Indirect Recombination. Appendix J: Calculation of the Transmission Coefficient for a Symmetric Resonant-Tunneling Diode. Appendix K: Basic Kinetic Theory of Gases. Appendix L: Answers to Selected Problems. Index.
Höhe
262 mm
Breite
17.6 cm

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