This book addresses the mathematical aspects of semiconductor modeling, with particular attention focused on the drift-diffusion model. The aim is to provide a rigorous basis for those models which are actually employed in practice, and to analyze the approximation properties of discretization procedures. The book is intended for applied and computational mathematicians, and for mathematically

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Produktinformationen

Technische Daten

Erscheinungsdatum

08.12.2011

Sprache

Englisch

EAN

9783642799891

Herausgeber

Springer Berlin

Sonderedition

Nein

Autor

Joseph W. Jerome

Seitenanzahl

167

Einbandart

Broschiert

Buch Untertitel

A Mathematical Study of Semiconductor Devices

Schlagwörter

Abweichungs-Diffusionssystem, Boltzmann transport equation, Boltzmann-Transportmodell, Drift-diffusion system, Energie, Gummel Iteration, Scharfetter-Gummel discretization, System decoupling, calculus, differential equation, energy transport model, finite element method, inf-sup Theorie, linearization, mixed boundary value problem, nichtlineare finite Elemente-Konvergenz-Theorie, nonlinear finite element convergence theory, numerical fixed point map, p/n Junktion, transistor

Thema-Inhalt

PBK - Mathematische Analysis, allgemein PBKS - Numerische Mathematik TJF - Elektronik PHU - Mathematische Physik

Höhe

235 mm

Breite

15.5 cm

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Analysis of Charge Transport

Joseph W. Jerome (Broschiert, Englisch)

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