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Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon

Peter Pichler (Gebundene Ausgabe, Englisch)

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Beschreibung
Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms, chalcogens, and halogens in silicon, as well as of their complexes. Special emphasis is placed on compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behavior from experimental and theoretical investigations. In addition, the book discusses the fundamental concepts of silicon and its defects, the electron system, diffusion, thermodynamics, and reaction kinetics which form the scientific basis needed for a thorough understanding of the text. Therefore, the book is able to provide an introduction to newcomers in this field up to a comprehensive reference for experts in process technology, solid-state physics, and simulation of semiconductor processes.
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Technische Daten


Erscheinungsdatum
02.06.2004
Sprache
Englisch
EAN
9783211206874
Herausgeber
Springer Wien
Serien- oder Bandtitel
Computational Microelectronics
Sonderedition
Nein
Autor
Peter Pichler
Seitenanzahl
554
Einbandart
Gebundene Ausgabe
Schlagwörter
Semiconductor, acceptor and donor impurities, chalcogens, halogens, isovalent atoms, semiconductor devices, simulation, tables, thermodynamics
Thema-Inhalt
TJF - Elektronik PHFC - Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik) PNFS - Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie TGMM - Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien
Höhe
254 mm
Breite
17.8 cm

Transparenz & Sicherheit

Hersteller: Springer Nature Customer Service Center GmbH, Europaplatz 3, Heidelberg, Deutschland, 69115, ProductSafety@springernature.com

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