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Gebrauchte Bücher von Roland Krebs bei rebuy
… Roland Krebs wurde 1976 in Aschaffenburg geboren. Nach dem Studium und der Promotion in Physik mit dem Schwerpunkt Halbleiterphysik und –technologie an der Universität Würzburg, war der Autor in verschiedenen Positionen als Manager für Forschungs- und Technologieprojekte im Bereich der Hochfrequenztechnik tätig. Im Laufe dieser beruflichen Tätigkeit ist ein besonderes Interesse an der Hochfrequenztechnik und insbesondere an der Galliumnitrid-Technologie entstanden, auf der heutzutage viele Halbleiterbauteile der Hochfrequenztechnik basieren. Aufgrund dieses persönlichen Interesses und zur berufsbegleitenden Weiterbildung nahm der Autor ein Studium an der FernUniversität Hagen im Fach Elektrotechnik auf. Im Rahmen dieses Studiums und basierend auf den vorhandenen akademischen und beruflichen Kenntnissen ist die vorliegende Studie entstanden.
… Roland Krebs wurde 1976 in Aschaffenburg geboren. Nach dem Studium und der Promotion in Physik mit dem Schwerpunkt Halbleiterphysik und –technologie an der Universität Würzburg, war der Autor in verschiedenen Positionen als Manager für Forschungs- und Technologieprojekte im Bereich der Hochfrequenztechnik tätig. Im Laufe dieser beruflichen Tätigkeit ist ein besonderes Interesse an der Hochfrequenztechnik und insbesondere an der Galliumnitrid-Technologie entstanden, auf der heutzutage viele Halbleiterbauteile der Hochfrequenztechnik basieren. Aufgrund dieses persönlichen Interesses und zur berufsbegleitenden Weiterbildung nahm der Autor ein Studium an der FernUniversität Hagen im Fach Elektrotechnik auf. Im Rahmen dieses Studiums und basierend auf den vorhandenen akademischen und beruflichen Kenntnissen ist die vorliegende Studie entstanden.
Preis (€)
Produkttyp
Broschiert Gebundene Ausgabe Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
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Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs/Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturen
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